尽管美国征收更高关税，但是受到无比强劲的半导体产品和汽车产品出货强劲支撑，有着“全球经济金丝雀”之称的韩国出口数据仍然表现稳健，实现连续三个月增长。最新的韧性十足出口数据可谓凸显半导体等高端制造领军者们最新配资门户，尤其是对于韩国经济增长至关重要的存储芯片领域，在面对全面性的美国政府关税政策时的无比强劲出口韧性。
韩国海关统计数据显示，8月份韩国对于海外市场的出货规模同比增长1.3%，此前7月份则增长5.8%。按工作日调整口径，韩国8月出口额则实现同比大幅增长5.8%，高于经济学家普遍预期，与7月份的增速相同。进口额则显现下降4%，使得韩国贸易余额录得65亿美元顺差。
出口动能保持韧性——尽管美国关税大幅上调，韩国出口仍处于增长周期
8月出口实现强劲扩张，也意味着韩国出口规模实现连续三个月增长，为以出口为主的韩国经济带来很大程度提振。但在一些分析师看来，这份喘息可能转瞬即逝，因为为应对更高关税而进行的前置出货装运效应预计将逐步消退，而特朗普政府所主导的潜在的半导体相关关税政策则可能削弱韩国存储芯片出口动能。
7月下旬与华盛顿方面在最后时刻达成的初步关税协议，使韩国制造商们得以避免最糟情形;此前美国总统唐纳德.特朗普曾威胁对自韩国进口的产品征收25%的关税。
尽管如此，新设定的15%基准对等关税仍标志着从双边贸易协定所长期保障的数十年零关税制度的重大转变。韩国央行上周警告称，关税影响将通过贸易、金融市场和商业信心在整个韩国经济中扩散。韩国出口贸易预计将首当其冲，随着成本上升侵蚀韩国出口竞争力以及美国国内需求因关税压力逐渐显现而转弱或大幅减少订单，韩国对美出口不久后或将收缩。
上述数据发布之际，韩国总统李在明与特朗普进行了首次线下面对面峰会，双方重申致力于加强经济联系，并承诺在先进制造业和芯片产业链领域扩大合作。
韩国央行行长李昌镛上周在一场政策吹风会上表示，尽管美国关税大幅上调，但是受存储芯片和汽车出口带动，韩国出口增幅超出市场预期。他强调，这些增量使今年的韩国GDP增速预测上调约0.2个百分点，但也警告关税影响可能随时间推移而逐渐加剧。该央行维持2026年增长预期在1.6%。
“尽管存在对特朗普政府的半导体关税政策的担忧，但当前半导体周期的需求上行持续时间比我们此前预期的时间更长，”李昌镛在上周四韩国央行将基准利率维持在2.5%不变后对记者们表示。“如果芯片出口持续保持强劲，这可能为经济提供额外上行空间。”
存储芯片——对于韩国出口乃至韩国经济而言至关重要
在以HBM存储系统与企业级NAND存储主导的半导体出口规模强劲增长驱动下，韩国这一亚洲第四大经济体的出口额增速近年以来可谓持续强劲增长，进而推动韩国GDP增速长期以来在面临新冠疫情供应链冲击、美国高通胀冲击、特朗普关税等重压之下持续保持增长韧性。
韩国是世界上最大规模两家存储芯片生产商——SK海力士与三星的所在地，其中，全球HBM霸主SK海力士已经成为英伟达最核心的HBM供应商，英伟达自2022年年末以来销量屡创新高的H100/H200AI GPU所搭载的正是SK海力士生产的HBM存储系统。此外，英伟达最新款基于Blackwell架构的B200/GB200/GB300AI GPU的HBM也将搭载SK海力士所生产的最新一代HBM存储系统——HBM3E，英伟达下一代Rubin架构AI GPU则有望搭载SK海力士的下一代HBM存储系统——HBM4。
韩国另一存储巨头三星，则是全球最大规模科技公司之一以及全球最大规模的消费电子级DRAM与NAND存储芯片、企业级NAND存储组件供应商，并且近期也在力争成为AI芯片霸主英伟达旗舰AI GPU系列产品的HBM存储系统供应商。
摩根士丹利近日在一份研报中表示，在全球大型企业与各政府部门纷纷斥巨资布局AI的这股史无前例AI基建狂热浪潮中，与人工智能训练/推理系统密切相关的核心存储芯片需求仍然无比火爆，推动包括HBM存储系统、服务器级别DDR5与企业级SSD在内的数据中心存储产品线营收猛增。
随着AI智能体等突破式AI应用工具渗透至全球各行各业带来天量级“AI推理端算力需求”，意味着AI芯片、HBM存储系统、企业级SSD以及高性能网络与电力设备等AI算力基础设施建设领域需求的未来前景仍将是星辰大海，此外，端侧AI热潮也将带来消费电子级DRAM与NAND存储需求迈向新一轮增长曲线。企业们对于提高效率和降低运营成本的迫切需求，在近期可谓极大力度推进AI应用软件两大核心类别——生成式AI应用与AI智能体的广泛应用，其中AI智能体的出现，意味着人工智能开始从信息辅助工具演变为高度智能化的生产力工具。
另一华尔街大行摩根大通预计更广泛的DRAM与NAND定价优势将持续到2025年剩余时间以及2026年。该机构预计最新配资门户，在2025年剩余时间和2026年，由于HBM需求的持续强劲和非AI DRAM的供应紧张，DRAM定价将持续走强。此外，摩根大通预计下一代HBM——HBM4的产能大幅扩张将继续导致前沿供应紧张，并进一步限制非HBM类型的DRAM产品线以及NAND产品线的供应，从而推动价格持续上涨的压力。
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